Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, IRF640
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 20V
Corriente continua de Drain 18A
Recuperación de diodo pico dv/dt 5V/ns
Potencia de disipación 125W
Resistencia Drain a Source máxima 180mΩ
Carga total de Gate 70nC
Tiempo de retardo de apagado 45ns
Tiempo de retardo de encendido 14ns
Tiempo de recuperación inversa 300ns.
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