Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT con diodo de recuperación suave ultra rápida canal N, IRG4PC40FD
Frecuencia de conmutación 1KHz – 5KHz
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Colector a Emisor (CE) 600V
Voltaje de Gate a Emisor (GE) 15V
Corriente continua de Colector 49A
Potencia de disipación máxima 160W
Voltaje de Colector a Emisor en saturación (CEon) 1.5V
Carga total de Gate 100nC
Tiempo de retardo de apagado 230ns
Tiempo de retardo de encendido 63ns
Tiempo de recuperación inversa del diodo 42ns.
Documento:
