Transistor de potencia MOSFET canal P de conmutación rápida, IRFD9120
Encapsulado HD-1 de 4 pines.Voltaje de Drain a Source (DS) -100V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 20V
Corriente continua de Drain -1A
Recuperación de diodo pico dv/dt -5.5V/ns
Potencia de disipación 1.3W
Resistencia Drain a Source máxima 600mΩ
Carga total de Gate 18nC
Tiempo de retardo de apagado 21ns
Tiempo de retardo de encendido 9.6ns
Tiempo de recuperación inversa 98ns
