Transistor de potencia MOSFET canal N, IXFV52N30P
Encapsulado PLUS220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 300V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 20V
Corriente continua de Drain 52A
Recuperación de diodo pico dv/dt 10V/ns
Potencia de disipación 400W
Resistencia Drain a Source máxima 66mΩ
Carga total de Gate 110nC
Tiempo de retardo de apagado 60ns
Tiempo de retardo de encendido 24ns
Tiempo de recuperación inversa 160ns
