Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, FDP18N50
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 30V
Corriente continua de Drain 18A
Recuperación de diodo pico dv/dt 4.5V/ns
Potencia de disipación 235W
Resistencia Drain a Source máxima 0.265Ω
Carga total de Gate 45nC
Tiempo de retardo de apagado 95ns
Tiempo de retardo de encendido 55ns
Tiempo de recuperación inversa 500ns
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