Transistor de potencia MOSFET canal N, IXFH88N30P
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 300V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 88A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 10V/ns
Potencia de disipación es 600W
Resistencia Drain a Source máxima es 40mΩ
Carga total de Gate es 180nC
Tiempo de retardo de apagado es 96ns
Tiempo de retardo de encendido es 25ns
Tiempo de recuperación inversa es 100ns.
