Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT de conmutación rápida canal N, IRG4PC50F
Frecuencia de conmutación 1KHz – 5KHz
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Colector a Emisor (CE) 600V
Voltaje de Gate a Emisor (GE) 15V
Corriente continua de Colector 70A
Potencia de disipación máxima 200W
Voltaje de Colector a Emisor en saturación (CEon) 1.45V
Carga total de Gate 190nC
Tiempo de retardo de apagado 240ns
Tiempo de retardo de encendido 31ns
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Transistor Bipolar De Compuerta Aislada IGBT canal N IRG4PC50F
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