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Optoacoplador Fototransistor CNY174

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SKU: CNY174 Categoría: OPTOACOPLADORES Etiquetas: CNY174, dip, fototransistor NPN, IRED, NPN, OPTOACOPLADOR
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Descripción

Optoacoplador fototransistor, CNY174
Consiste en un IRED (diodo emisor infrarrojo) junto con un fototransistor NPN
Encapsulado DIP de 6 pines
Voltaje de aislamiento es 5300V AC RMS
Voltaje directo de entrada del emisor es 1.35V
Corriente de fuga inversa del emisor es 0.001µA
Voltaje del detector de Colector a Emisor es 70V
Corriente de fuga del detector de Colector a Emisor es 1nA
Potencia de disipación total 250mW
Relación de transferencia de corriente (CTR) es 160%
Tiempo de conmutación no saturado de encendido y apagado es 10µs.

 

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Optoacoplador Fototransistor CNY174

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